news 2026/8/15 14:08:57

关于CCS烧写FLASH和烧写RAM的一些理解,如何修改CMD文件。

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张小明

前端开发工程师

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关于CCS烧写FLASH和烧写RAM的一些理解,如何修改CMD文件。

RAM、ROM、FLASH存储器

1、RAM和ROM的区别

RAM和ROM的区别,或者说ROM和RAM的区别是什么呢?ROM和RAM都是一种存储技术,只是两者原理不同,**RAM为随机存储,掉电不会保存数据,而ROM可以在掉电的情况下,依然保存原有的数据。ROM和RAM指的都是半导体存储器。**本来的含义是:ROM是Read Only Memory的意思,也就是说这种存储器只能读,不能写。而RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存,而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备。RAM则可以随机读写。

内存RAM是指随机存取存储器(random access memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的短时间临时数据存储媒介。

通俗的说,比如在电脑中,大家都知道有内存和硬盘之说,其实内存就是一种RAM技术,而ROM则类似于硬盘技术,两者都是存储器,只是RAM的速度要远远高于ROM的速度,在电脑日常操作中,很多程序都将临时运行的程序命令,存放在内存中,但一旦关机或者停电,内存里原本临时存储的程序信息将全部被清空,也就是内存只能临时存储东西,不能长久保存,而ROM则可以存储,即使掉电后也可以找到之前存储的文件,这也就是硬盘了。

在手机中,RAM是指手机内存,属于手机内部存储器,属于随机存储,速度高于ROM,对于手机配置性能起着重要的决定性,另外掉电后,数据被清空,比如手机运行着QQ与其它软件,重启手机后,软件就没有处于登录状态。

而**ROM则属于外部存储,比如我们经常可以购买SD卡放入手机里面,则就是手机ROM,手机ROM就是我们通常说的存储卡,也可以简单的理解成手机硬盘吧。**用来存储手机系统文件、图片、电影等等,不会随着掉电而丢失数据,ROM越大存储的数据就越多。

**RAM可以反复擦写,内存的寿命和老化有关,而和读写次数无关。**这里举例DRAM(Dynamic Random Access Memory)是靠电容来存储电荷,用电荷存在与否来表示“0”“1”,这个过程可以说没有电子元件物理状态的改变,只是电荷是不是在电容中而已。

2、FLASH 存储器

**Flash 存储器(FLASH EEPROM)又称闪存,快闪。它是EEPROM的一种。它结合了ROM和RAM的长处。不仅具备电子可擦除可编辑(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。**它于EEPROM的最大区别是,FLASH按扇区(block)操作,而EEPROM按照字节操作。FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因此适合用于做程序存储器。

3、ROM, FLASH和RAM的区别

对于RAM, ROM以及FLASH的区别,简单地说,在计算机中,RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器,它的特点是易挥发性,即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。

在应用中,常规上ROM是用来存储固化程序的,RAM是用来存放数据的。由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快,擦写方便,一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。譬如说,现在家用的电子式电度表,它的内核是一款单片机,该单片机的程序就是存放在ROM里的。电度表在工作过程中,是要运算数据的,要采集电压和电流,并根据电压和电流计算出电度来。电压和电流时一个适时的数据,用户不关心,它只是用来计算电度用,计算完后该次采集的数据就用完了,然后再采集下一次,因此这些值就没必要永久存储,就把它放在RAM里边。然而计算完的电度,是需要永久保存的,单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH里。

烧写FLASH和烧写RAM

CMD文件,又称链接命令文件,主要作用是分配ROM和RAM空间,它告诉链接程序怎样计算地址和分配空间。例如,应该把程序放在哪块地址内,把数据放在哪块地址内以及把程序中定义的某些变量放在哪块地址内。

使用F28335进行烧写.out文件时,如果使用的是28335_RAM_lnk.cmd文件,那么就是把.out文件烧写到RAM,用RAM可以一直烧写debug,但是最后固化程序之后再烧写到flash,就需要选择F28335.cmd文件,这样最后烧写就是直接烧写到flash,在CCS下找到该文件,右击28335_RAM_Ink.cmd,将Exclude from Build勾选,在F28335.cmd中取消Exclude from Build勾选,就可以将程序烧写到Flash中。反之,烧写到RAM 中。

程序烧入Flash和烧入RAM这两种烧写方式分别使用的是两个不同的 cmd 文件,所以请首先请确认你的工程使用的是flash烧写所对应的 cmd 文件。

如果使用的是RAM烧写所对应的cmd文件,则程序只能在仿真模式下运行,并没有写入flash,断电之后程序会被清除。在断开仿真器重新上电之后,所运行的仍然是之前flash中一直存在的程序。

程序过长如何修改CMD文件

我们如果.c文件的程序编写过长,就可能会超出存储器的范围,出现这样的报错:error #10099-D: program will not fit into available memory.

那么这个时候就需要修改CMD文件,打开CMD文件,找到.text:

#endif.text:>RAML1,PAGE=0.cinit:>RAML0,PAGE=0.pinit:>RAML0,PAGE=0.switch:>RAML0,PAGE=0.stack:>RAMM1,PAGE=1.ebss:>RAML4,PAGE=1.econst:>RAML5,PAGE=1.esysmem:>RAMM1,PAGE=1IQmath:>RAML1,PAGE=0IQmathTables:>IQTABLES,PAGE=0,TYPE=NOLOAD

说明.text对应的段,也就是我们编写的程序是在RAML1,PAGE =0的位置,我们找到RAML1:

发现PAGE 0 对应的RAML1的位置在0x009000,长度是0x001000,如果需要将此位置变大,则可以将PAGE 0 下的RAML2的行代码注释,把RAML1的长度改成length = 0x002000。这样就能实现编译。

MEMORY{PAGE0:/* BEGIN is used for the "boot to SARAM" bootloader mode */BEGIN:origin=0x000000,length=0x000002/* Boot to M0 will go here */RAMM0:origin=0x000050,length=0x0003B0RAML0:origin=0x008000,length=0x001000RAML1:origin=0x009000,length=0x002000// RAML2 : origin = 0x00A000, length = 0x001000RAML3:origin=0x00B000,length=0x001000ZONE7A:origin=0x200000,length=0x00FC00/* XINTF zone 7 - program space */CSM_RSVD:origin=0x33FF80,length=0x000076/* Part of FLASHA. Program with all 0x0000 when CSM is in use. */CSM_PWL:origin=0x33FFF8,length=0x000008/* Part of FLASHA. CSM password locations in FLASHA */ADC_CAL:origin=0x380080,length=0x000009RESET:origin=0x3FFFC0,length=0x000002IQTABLES:origin=0x3FE000,length=0x000b50IQTABLES2:origin=0x3FEB50,length=0x00008cFPUTABLES:origin=0x3FEBDC,length=0x0006A0BOOTROM:origin=0x3FF27C,length=0x000D44PAGE1:/* BOOT_RSVD is used by the boot ROM for stack. *//* This section is only reserved to keep the BOOT ROM from *//* corrupting this area during the debug process */BOOT_RSVD:origin=0x000002,length=0x00004E/* Part of M0, BOOT rom will use this for stack */RAMM1:origin=0x000400,length=0x000400/* on-chip RAM block M1 */RAML4:origin=0x00C000,length=0x001000RAML5:origin=0x00D000,length=0x001000RAML6:origin=0x00E000,length=0x001000RAML7:origin=0x00F000,length=0x001000ZONE7B:origin=0x20FC00,length=0x000400/* XINTF zone 7 - data space */}

如何防止烧写过程中加密FLASH

编译完工程之后,我们先不要急着将.out文件烧写到板子上,点开DEBUG文件夹下的.map文件,代码如下:

******************************************************************************TMS320C2000 Linker PC v21.6.0******************************************************************************>>Linked Tue Aug2421:52:562021OUTPUT FILE NAME:<SVPWM_HZB_Active.out>ENTRY POINT SYMBOL:"_c_int00"address:0000a2a0 MEMORY CONFIGURATION name origin length used unused attr fill-------------------------------------------------------------------PAGE0:BEGIN00000000000000020000000200000000RWIX RAMM000000050000003b000000000000003b0 RWIX RAML000008000000010000000004b00000fb5 RWIX RAML100009000000020000000142900000bd7 RWIX RAML30000b000000010000000000000001000RWIX ZONE7A002000000000fc00000000000000fc00 RWIX**//只要这两行代码是这个就说明修改的CMD文件没有把FLASH加密可以放心地进行烧写****CSM_RSVD0033ff80000000760000000000000076RWIX CSM_PWL0033fff8000000080000000000000008RWIX**ADC_CAL00380080000000090000000700000002RWIX IQTABLES003fe00000000b500000000000000b50 RWIX IQTABLES2003feb500000008c000000000000008c RWIX FPUTABLES003febdc000006a000000000000006a0 RWIX BOOTROM003ff27c00000d440000000000000d44 RWIX RESET003fffc0000000020000000000000002RWIX PAGE1:BOOT_RSVD000000020000004e000000000000004e RWIX RAMM100000400000004000000030000000100RWIX DEV_EMU0000088000000180000000d0000000b0 RWIX FLASH_REGS00000a80000000600000000800000058RWIX CSM00000ae0000000100000001000000000RWIX ADC_MIRROR00000b00000000100000001000000000RWIX XINTF00000b20000000200000001e00000002RWIX CPU_TIMER000000c00000000080000000800000000RWIX CPU_TIMER100000c08000000080000000800000000RWIX CPU_TIMER200000c10000000080000000800000000RWIX PIE_CTRL00000ce0000000200000001a00000006RWIX PIE_VECT00000d00000001000000010000000000RWIX DMA0000100000000200000000e000000120RWIX MCBSPA0000500000000040000000250000001b RWIX MCBSPB0000504000000040000000250000001b RWIX ECANA0000600000000040000000340000000c RWIX ECANA_LAM00006040000000400000004000000000RWIX ECANA_MOTS00006080000000400000004000000000RWIX ECANA_MOTO000060c0000000400000004000000000RWIX ECANA_MBOX00006100000001000000010000000000RWIX ECANB0000620000000040000000340000000c RWIX ECANB_LAM00006240000000400000004000000000RWIX ECANB_MOTS00006280000000400000004000000000RWIX ECANB_MOTO000062c0000000400000004000000000RWIX ECANB_MBOX00006300000001000000010000000000RWIX EPWM100006800000000220000002200000000RWIX EPWM200006840000000220000002200000000RWIX EPWM300006880000000220000002200000000RWIX EPWM4000068c0000000220000002200000000RWIX EPWM500006900000000220000002200000000RWIX EPWM600006940000000220000002200000000RWIX ECAP100006a00000000200000002000000000RWIX ECAP200006a20000000200000002000000000RWIX ECAP300006a40000000200000002000000000RWIX ECAP400006a60000000200000002000000000RWIX ECAP500006a80000000200000002000000000RWIX ECAP600006aa0000000200000002000000000RWIX EQEP100006b00000000400000004000000000RWIX EQEP200006b40000000400000004000000000RWIX GPIOCTRL00006f80000000400000002e00000012RWIX GPIODAT00006fc0000000200000002000000000RWIX GPIOINT00006fe0000000200000000a00000016RWIX SYSTEM00007010000000200000002000000000RWIX SPIA00007040000000100000001000000000RWIX SCIA00007050000000100000001000000000RWIX XINTRUPT00007070000000100000001000000000RWIX ADC00007100000000200000001e00000002RWIX SCIB00007750000000100000001000000000RWIX SCIC00007770000000100000001000000000RWIX I2CA0000790000000040000000220000001e RWIX RAML40000c0000000100000000844000007bc RWIX RAML50000d000000010000000010000000f00 RWIX RAML60000e000000010000000000000001000RWIX RAML70000f000000010000000000000001000RWIX ZONE7B0020fc00000004000000000000000400RWIX CSM_PWL0033fff8000000080000000800000000RWIX
//只要这两行代码是正确的//就说明程序编译之后没有把FLASH加密可以放心地进行烧写!CSM_RSVD0033ff80000000760000000000000076RWIX CSM_PWL0033fff8000000080000000000000008RWIX

以上就是关于烧写FLASH和烧写RAM的一些理解。

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