动态零点追踪技术

上图为最常见的动态零点追踪技术，由于Mc的漏极连接电容，所以电流很小，我们可以将此管设计在线性区作为电阻使用。Rc可以写成1/UnCox（W/L)(Vgs-Vth)，所以该电阻可以通过尺寸来控制，而Cc和Rc产生的零点为1/Cc*Rc。

所以P2点有三路并联，分别为Cc和Mc形成的电阻，Power transistor产生的寄生电容，R2out。

通过KCL可以列方程求得p2点产生的零极点，该位置的极点我们设计为主极点，最终的结果为产生两个极点和一个零点，P21=1/（Rc+R2out）Cc，此为主极点。产生的另一个极点P22的值为1/（Rc//R2out）*Cp（由于R和C都小，所以该极点理论上对稳定性无影响）。

需要总结的是：一个节点最多带来一个极点，如果超过一个，那么是由支路内部RC网络带来。

此外，输出端的极点为1/Co*Ro，Ro=1/I*lamda；我们希望使用零点跟踪并补偿该次极点，使得最终我们的LDO成为一个单极点近似系统。Cc应远大于Co，这样才能使零极点的位置接近。