Flash存储器（闪存）能在断电后长期保存数据，其核心秘密在于浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）。你可以把它想象成一个带有“电子陷阱”的特殊开关。这个“电子陷阱”（浮栅）被绝缘层包围，一旦电子被注入，即使断电也会被关在里面，从而实现数据的持久保存。
但是Flash存储器不能像RAM那样直接覆盖写入，也不能单独擦除某一个字节，其“按块擦除”的特性源于其物理设计和底层的工作原理。
Flash存储的基本原理
lash存储器的最小存储单元是浮栅晶体管。它通过浮栅中是否捕获电荷来存储信息（通常有电荷代表0，无电荷代表1）。
写操作（编程）：写操作只能将存储单元的电位状态从 “1”改变为“0” （即注入电子）。它不能将“0”变回“1”
擦除操作：擦除操作才是将整个区块的“0”恢复为“1”（即移除电子）的过程，使该区块恢复到可写入的状态。擦除后，区块内的所有字节都会变为 0xFF（即全1）
擦除的工作原理
普遍使用 F-N隧穿 (Fowler-Nordheim Tunneling)。在控制栅施加低电压（或负电压），同时在源极或P型衬底（P-Well）施加很高的正电压，形成一个强电场，迫使浮栅中的电子穿过隧道氧化层被拉出来。
为何不能单独擦写，必须按块擦除？
Flash存储器中，多个存储单元会共享同一个衬底（P-Well）。当需要进行擦除操作时，需要在整个共享的衬底上施加一个较高的电压，才能将浮栅中的电子通过F-N隧穿效应“拉”出来。由于这个物理结构上的限制，施加的高压会作用于整个共享区域，因此无法单独擦除某一个或几个单元，必须对整个块（Block）进行擦除。
按块擦除带来的挑战
每次擦除操作都会对浮栅下方的隧道氧化层造成微小的损耗。这种损耗是累积性的，当擦写次数超过一定限度（例如1万到10万次，因芯片类型而异），该块就可能无法可靠存储数据，成为“坏块”。
为何擦除如此耗时？
物理过程本质：擦除操作依赖Fowler-Nordheim (F-N) 隧穿效应。这个过程需要施加较高的电压（例如P阱+8V，控制栅-10V）以形成足够强的电场，使电子能穿过绝缘的隧道氧化层从浮栅中逃逸。这个物理过程本身就需要一定的时间（通常需要持续几十到几百毫秒）才能稳定可靠地完成。
操作单位大：擦除操作必须以块(Block)为单位进行。一个Block的大小远大于写入和读取的单位页(Page)。一次擦除整个块，意味着要移动的电荷总量巨大，自然比只写入一页数据（仅改变部分位）花费的时间长得多。
